富士电机出展PCIM Asia

栏目:行业资讯 发布时间:2016-07-13

为期3天的上海国际电力原件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia )于2016年6月28日在上海世博展览馆盛大开幕。聚焦可再生能源技术,富士电机(中国)有限公司携新品“四美”亮相展会,分别是富士电机X系列第7代IGBT 、使用第7代IGBT的大功率次时代核心模块(HPnC)、面向车载应用的高电流密度六合一IGBT模块,以及全SiC 2in1模块(SiC MOS-FET & SiC肖特基二极管)。此外,还展示有面向三电平逆变应用的IGBT模块、混合型IGBT模块(Si-IGBT和SiC-肖特基二极管)、第2代SJ-MOSFET 600V系列、高速W系列单管IGBT 等。 随着“四美”在中国市场的集中式亮相,富士电机(中国)有限公司半导体营业本部本部长塚越 敏夫和富士电机(中国)有限公司半导体营业本部营业部长徐国伟向中国工控网解读了该部门在中国行走的行业战略:其一,以性能更高、竞争力更强、性价比更好的产品提升其在传统工业市场的占有率;其二,借助具有优势的汽车功率半导体 抢抓中国新能源汽车行业发展机遇。 面对倍显疲态的中国传统工业自动化市场和中国经济“新常态”,每个自动化厂商都在积极应对。近年来随着全球能源需求增长,各个领域对工业设备都提出了更高的节能要求,工厂等生产现场则非常注重机器设备的小型化、节省空间化及高可靠性。今年,富士电机半导体营业本部特推出富士电机X系列第7代IGBT ,同时展出了使用第7代IGBT的大功率次时代核心模块(HPnC)样品。 IGBT模块是一种能实现节能和稳定供电的核心器件,被广泛应用于各种工业设备如电机驱动用变频器、不间断电源装置(UPS)、风能和太阳能发电设备用功率调节器等。 据塚越 敏夫和徐国伟介绍,富士电机X系列第7代IGBT 通过对构成本模块的IGBT元件和二极管元件进行厚度减薄和微细化改进,实现了最佳元件结构。因此,与第6代“V系列”相比,变频器的工作电耗降低,有助于设备的节能和降低电力成本。此外,第7代IGBT采用更为先进的封装技术,如75A PIM-IGBT 封装尺寸缩减36%,更趋小型化;最高连续工作温度从以往的150℃提高至175℃,所以能做到在维持设备原尺寸不变的同时,扩展电流等级,例如50A PIM-IGBT输出电流实现50%的增幅。