功率半导体的新产品--第7代“X系列”
栏目:行业资讯 发布时间:2015-08-20

富士电机株式会社,富士电机(中国)有限公司自8月起开始出货功率半导体的新产品--第7代“X系列”IGBT※1模块的样品,特发通知。 ※1:Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管) 1.背景 IGBT模块是一种能实现节能和稳定供电的核心器件,被广泛应用于各种工业设备如电机驱动用变频器、不间断电源装置(UPS)、风能和太阳能发电设备用功率调节器等。预计市场规模将于2016年达到约4,262亿日元,之后保持每年6.0%的增长率。(数据来源:WSTS)。 近年来随着全球能源需求增长,各个领域对工业设备都提出了更高的节能要求。而工厂等生产现场则非常注重机器设备的小型化、节省空间化及高可靠性。 本模块是能够满足以上需求的最新产品,本次将首先出货1,200V耐压产品的样品,今后计划扩大产品阵容,逐次推出650V以及1,700V耐压产品。 2.产品特点 (1)降低电耗,促进节能 通过对构成本模块的IGBT元件和二极管元件进行厚度减薄和微细化改进,实现了最佳元件结构。因此与传统产品(本公司第6代“V系列”)相比,变频器的工作电耗降低,有助于设备的节能和降低电力成本。 (2)实现设备小型化 使用最新研发的绝缘基板增强了模块的热扩散性能。除上述效能(降低电耗)以外还能抑制发热,从而较以往模块实现了约36%的小型化※2。此外还将最高连续工作温度从以往的150℃提高至175℃,所以能做到在维持设备原尺寸不变的同时,输出电流实现了最大35%※3的增幅。这些都促进了设备小型化和总成本的降低。 ※2:1,200V 75A PIM产品的安装面积比 ※3:本公司估算值 (3)提高设备可靠性   通过修改模块的结构和使用材料,提高了高温条件下的工作稳定性和持久性,有助于提高设备本身的可靠性。